Uwendung an der Hallefleiterindustrie
GREEN ass eng national High-Tech-Entreprise, déi sech der Fuerschung an Entwécklung a Produktioun vun automatiséierter Elektronikmontage- a Hallefleederverpackungs- a Testausrüstung widmet. Si déngt Branchenexperten wéi BYD, Foxconn, TDK, SMIC, Canadian Solar, Midea a méi wéi 20 aner Fortune Global 500-Entreprisen. Äre vertrauenswürdege Partner fir fortgeschratt Produktiounsléisungen.
Bindungsmaschinne erméiglechen Mikroverbindungen mat Drotduerchmiesser, wat d'Signalintegritéit garantéiert; Amberesäure-Vakuumlötung bildt zouverlässeg Verbindungen ënner engem Sauerstoffgehalt vu <10 ppm, wat Oxidatiounsversagen a Verpackungen mat héijer Dicht verhënnert; AOI läscht Defekter op Mikronniveau. Dës Synergie garantéiert eng fortgeschratt Verpackungsausbezuelung vu méi wéi 99,95% a gerecht den extremen Testufuerderunge vu 5G/AI-Chips.
Ultraschall Drotbinder
Fäeg fir Aluminiumdrot vun 100 μm–500 μm, Kupferdrot vun 200 μm–500 μm, Aluminiumbänner bis zu 2000 μm Breet an 300 μm Déckt, souwéi Kupferbänner ze verbannen.
Bewegungsbereich: 300 mm × 300 mm, 300 mm × 800 mm (personaliséierbar), mat enger Widderhuelbarkeet < ±3 μm
Bewegungsbereich: 100 mm × 100 mm, mat Widderhuelbarkeet < ±3 μm
Wat ass Drotverbindungstechnologie?
Wire Bonding ass eng mikroelektronesch Verbindungstechnik, déi benotzt gëtt fir Hallefleiterkomponenten mat hirer Verpackung oder Substrat ze verbannen. Als eng vun de wichtegsten Technologien an der Hallefleiterindustrie erméiglecht et Chip-Interface mat externen Schaltkreesser an elektroneschen Apparater.
Materialien fir d'Verbindung vu Drot
1. Aluminium (Al)
Iwwerleeën elektresch Leetfäegkeet am Verglach mat Gold, kosteneffektiv
2. Koffer (Cu)
25% méi héich elektresch/thermesch Konduktivitéit wéi Au
3. Gold (Au)
Optimal Konduktivitéit, Korrosiounsbeständegkeet a Bindungszouverlässegkeet
4. Sëlwer (Ag)
Déi héchst Konduktivitéit ënner de Metaller
Aluminium Drot
Aluminiumband
Kofferdrot
Kofferband
Halbleiter-Materialverbindung & Drotverbindung AOI
Benotzt eng 25-Megapixel Industriekamera fir Defekter beim Die-Attach a beim Drotverbinden op Produkter wéi ICs, IGBTs, MOSFETs a Leadframes z'entdecken, wouduerch eng Defektdetektiounsquote vu méi wéi 99,9% erreecht gëtt.
Inspektiounsfäll
Fäeg fir d'Inspektioun vun der Chiphéicht a Flaachheet, dem Chip-Offset, der Kippung an dem Ofsplitteren; der Nethaftung vun de Lötkugelen an dem Ofléisen vun de Lötverbindungen; Drotverbindungsdefekter, dorënner exzessiv oder net genuch Schleifenhéicht, Schleifenkollaps, gebrachent Drot, fehlend Drot, Drotkontakt, Drotbiegung, Schleifenkräizung an exzessiv Schwanzlängt; net genuch Klebstoff; a Metallsprëtzer.
Lötkugel/Reschter
Chip Kratzer
Chipplacement, Dimensioun, Kippmooss
Chipkontaminatioun/Friemmaterial
Chip Chipping
Rëss am Keramikgruef
Kontaminatioun vu Keramikgruewen
AMB-Oxidatioun
In-Line Formensäure-Reflow-Uewen
1. Maximal Temperatur ≥ 450°C, Minimum Vakuum Niveau < 5 Pa
2. Ënnerstëtzt Formsäure- a Stéckstoffprozessëmfeld
3. Eenzelpunkt-Voidquote ≦ 1%, Gesamt-Voidquote ≦ 2%
4. Waasserkillung + Stéckstoffkillung, equipéiert mat engem Waasserkillungssystem a Kontaktkillung
IGBT-Hallefleeder fir Kraaft
Exzessiv Lächerungsquoten beim IGBT-Löten kënnen Kettenreaktiounsfehler ausléisen, dorënner thermesch Auslafe, mechanesch Rëssbildung a Verschlechterung vun der elektrescher Leeschtung. D'Reduktioun vun de Lächerungsquoten op ≤1% verbessert d'Zouverlässegkeet an d'Energieeffizienz vun den Apparater däitlech.
IGBT Produktiounsprozessflussdiagramm
